单晶硅片
发布时间:7/9/2010 5:23:44 PM 浏览:4827
      硅片主要由高纯多晶硅经特殊工艺高温熔炼成一定形状的硅方块或硅圆棒,再经多线切割而成薄片状,以满足后续加工的需要。硅片是目前光伏行业最重要的基体材料。
      宜昌南玻依托自身的硅材料基地,能够最大限度的发挥硅材料资源的整合优势,保障原材料品质和供应稳定。随着光伏产业的迅猛发展,处于光伏产业上游的硅片生产环节显得越来越重要。为了降低成本,增大单位原料的产出,我们生产的高密度、高性能、轻薄高效的硅片成为了硅片市场的“新宠”。
      配图:硅片厂房、硅片、硅片工艺流程等。
单晶硅片技术规格要求
         
通过标准
A级 B级 说明
项目
物理性能 晶向 (100) ± 3° (100) ± 3°  
氧含量(atom/cm3) ≤1.0E+18 ≤1.0E+18  
碳含量(atom/cm3) ≤5.0E+16 ≤5.0E+16  
少子寿命(μs) τ≥10μs(钝化后) τ≥10μs(钝化后)  
导电类型 P P  
电阻率(Ω.Cm) 1-3;3-6 0.8-3;3-6  
几何参数 边长(mm) 125×125±0.5 125×125±0.5  
对角线(mm) 165±0.5 165±0.5  
厚度(μm) 200±20 200±30  
TTV(μm) <30 ≤50  
翘曲度(μm) <50 <70  
同心度 任意两弧的弦长之差≤0.5mm 任意两弧的弦长之差≤1mm  
垂直度 90±0.3° 90±0.5°  
外观质量 崩边 长≤0.5 mm,
深≤0.3 mm
长≤1 mm,
深≤0.5 mm
硅片边缘破损,无论是否有穿透现象都视为崩边
数量≤2个  
无V型口 无V型口
硅落 长≤50mm,宽度≤100μm,深度不能延伸到硅片表面 长宽不限,深度不能延伸到硅片表面 硅片边缘有硅粉掉落、亮边现象
线痕 中部≤17 μm,边缘2mm内≤20 μm ≤30 μm  
无密集线痕   密集线痕(每1cm上线痕的条数超过5条)
色差 有明显色差  
污片 无明显沾污,表面脏污≤10%  
位错(pcs/2) ≤3000 ≤3000  
应力片  
凹坑、缺口、裂纹、气孔、台阶  

多晶硅片技术规格要求
         
通过标准
A级 B级 说明
项目
物理性能 氧含量(atom/cm3) ≤1.0E+18 ≤1.0E+18  
碳含量(atom/cm3) ≤5.0E+17 ≤5.0E+17  
少子寿命(μs) τ≥2μs τ≥2μs  
导电类型 P P  
电阻率(Ω.Cm) 1-3 0.8-3  
几何参数 边长(mm) 156×156±0.5 156×156±0.5  
厚度(μm) 200±20 200±30  
TTV(μm) <30 ≤50  
弯曲度(μm) <50 <70  
对角线(mm) 219.2±1.2 219.2±1.2  
倒角(mm) 1~2 0.8~2  
垂直度 90±0.3° 90±0.5°  
外观质量 崩边 长≤0.5 mm,
深≤0.3 mm
长>1 mm,
深≤0.5 mm
硅片边缘破损,无论是否有穿透现象都视为崩边
数量≤2个  
无V型口 无V型口
硅落 长≤50mm,宽度≤100μm,深度不能延伸到硅片表面 长宽不限,深度不能延伸到硅片表面 硅片边缘有硅粉掉落、亮边现象
线痕 中部≤17 μm,边缘2mm内≤20 μm ≤30 μm  
无密集线痕   密集线痕(每1cm上线痕的条数超过5条)
色差 有明显色差  
污片 无明显沾污,表面脏污≤10%  
微晶(pcs/2) ≤10  
应力片  
凹坑、缺口、裂纹、气孔、台阶